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UF4C120053K4S
SILICON CARBIDE MOSFET, SINGLE
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF4C120053K4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark78AK8904
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.020 |
| 10+ | $ 10.310 |
| 25+ | $ 9.600 |
Unidades por pacoteEach
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF4C120053K4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark78AK8904
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance53mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
53mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
263W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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