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UF3C120400B7S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C120400B7SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AK8897
Segmento de fita78AK8897
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 9.280 | $ 9.28 |
| Total Preço | $ 9.28 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.280 |
| 10+ | $ 6.460 |
| 25+ | $ 5.900 |
| 50+ | $ 5.360 |
| 100+ | $ 4.800 |
| 250+ | $ 4.650 |
| 500+ | $ 4.480 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C120400B7SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AK8897
Segmento de fita78AK8897
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id7.6A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance410mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
7.6A
Drain Source On State Resistance
410mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
100W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto