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UF3C120080K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C120080K4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark47AK1760
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.850 |
| 10+ | $ 14.820 |
| 25+ | $ 14.080 |
| 50+ | $ 13.350 |
| 100+ | $ 12.860 |
| 250+ | $ 12.340 |
| 500+ | $ 12.130 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 15.85
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C120080K4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark47AK1760
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation254.2W
Power Dissipation Pd254.2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
254.2W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
254.2W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto