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UF3C065080B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C065080B3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida47AK1753RL
Segmento de fita47AK1753
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 11.560 | $ 11.56 |
| Total Preço | $ 11.56 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.560 |
| 50+ | $ 8.610 |
| 100+ | $ 7.150 |
| 250+ | $ 7.110 |
| 500+ | $ 7.070 |
| 1000+ | $ 6.800 |
| 2500+ | $ 6.660 |
| 5000+ | $ 6.530 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C065080B3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida47AK1753RL
Segmento de fita47AK1753
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd115W
Power Dissipation115W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
115W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation Pd
115W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade do produto