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UF3C065040B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C065040B3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida47AK1749RL
Segmento de fita47AK1749
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 21.620 | $ 21.62 |
| Total Preço | $ 21.62 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 21.620 |
| 10+ | $ 16.380 |
| 25+ | $ 15.760 |
| 50+ | $ 15.130 |
| 100+ | $ 14.500 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C065040B3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida47AK1749RL
Segmento de fita47AK1749
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation176W
Power Dissipation Pd176W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
42mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
176W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
176W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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