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SS8550DBU
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, TO-226AA-3
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteSS8550DBUCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark31Y4711
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.381 |
| 10+ | $ 0.235 |
| 100+ | $ 0.147 |
| 500+ | $ 0.109 |
| 1000+ | $ 0.097 |
| 2500+ | $ 0.087 |
| 10000+ | $ 0.068 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 1.90
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteSS8550DBUCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark31Y4711
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max25V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo25V
Continuous Collector Current1.5A
DC Collector Current1.5A
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
Transistor Case StyleTO-226AA
DC Current Gain hFE160hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min160hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SS8550DBU is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for use in 2W output amplifier of portable radios in Class B push-pull operation.
- Complimentary to SS8050
Aplicações
RF Communications, Portable Devices, Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
25V
DC Collector Current
1.5A
Power Dissipation
1W
DC Current Gain hFE
160hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
160hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
25V
Continuous Collector Current
1.5A
Power Dissipation Pd
1W
Transistor Case Style
TO-226AA
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
200MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SS8550DBU
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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