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RFP12N10L
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteRFP12N10LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark58K9511
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.960 |
| 10+ | $ 1.450 |
| 100+ | $ 0.937 |
| 500+ | $ 0.776 |
| 1000+ | $ 0.725 |
| 2500+ | $ 0.681 |
| 10000+ | $ 0.623 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.96
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteRFP12N10LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark58K9511
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd60W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The RFP12N10L is a 100V N-channel logic level enhancement mode power MOSFET designed for logic level 5V driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Compatible with automotive drive requirements
- Can be driven directly from QMOS, NMOS and TTL circuits
- High input impedance
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
Aplicações
Power Management, Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
60W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos