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NXH450B100H4Q2F2PG
IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH450B100H4Q2F2PGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark29AK2767
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 147.840 |
| 5+ | $ 143.240 |
| 10+ | $ 138.650 |
| 25+ | $ 134.050 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 147.84
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH450B100H4Q2F2PGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark29AK2767
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current101A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
101A
Power Dissipation
234W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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