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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH40B120MNQ1SNGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark29AK2764
Gama de produtosEliteSiC Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 112.270 |
| 5+ | $ 110.110 |
| 10+ | $ 107.930 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 112.27
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH40B120MNQ1SNGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark29AK2764
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationThreePack
Channel TypeThree N Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins32Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation156W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
ThreePack
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
32Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Three N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
156W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
