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NXH020F120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH020F120MNF1PTGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark29AK2754
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 145.160 |
| 5+ | $ 143.000 |
| 10+ | $ 140.910 |
| 25+ | $ 132.460 |
Unidades por pacoteEach
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH020F120MNF1PTGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark29AK2754
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
Power Dissipation119W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.81V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
119W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para NXH020F120MNF1PTG
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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