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NXH020F120MNF1PG
MOSFET, SIC, DUAL N-CH, 1.2KV/51A/MODULE
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH020F120MNF1PGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark81AK4281
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 132.840 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 132.84
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH020F120MNF1PGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark81AK4281
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation119W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
119W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos