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NXH010P120MNF1PTNG
MOSFET, SIC, DUAL N-CH/1.2KV/114A/MODULE
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH010P120MNF1PTNGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark81AK4280
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 116.990 |
| 5+ | $ 115.360 |
| 10+ | $ 113.720 |
| 25+ | $ 107.180 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 116.99
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH010P120MNF1PTNGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark81AK4280
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id114A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation413W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
114A
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
413W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para NXH010P120MNF1PTNG
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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