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NVTFS6H888NLTAG
MOSFET, N-CH, 80V, 14A, WDFN
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVTFS6H888NLTAGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark74AH4864
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.090 |
| 10+ | $ 0.680 |
| 25+ | $ 0.602 |
| 50+ | $ 0.523 |
| 100+ | $ 0.445 |
| 250+ | $ 0.394 |
| 500+ | $ 0.344 |
| 1000+ | $ 0.317 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.09
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVTFS6H888NLTAGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark74AH4864
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id14A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd23W
Power Dissipation23W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
23W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
23W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto