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NVTFS5124PLWFTAG
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 6 A, 0.26 ohm, WDFN, Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVTFS5124PLWFTAGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark11X3741
Gama de produtosNVTFS5124PL Series
Seu número de peça
25,500 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.420 |
| 3000+ | $ 0.410 |
| 6000+ | $ 0.379 |
| 12000+ | $ 0.354 |
| 18000+ | $ 0.330 |
| 30000+ | $ 0.315 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 1500
Vários: 1500
$ 630.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVTFS5124PLWFTAGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark11X3741
Gama de produtosNVTFS5124PL Series
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Drain Source On State Resistance0.26ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd18W
Power Dissipation18W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeNVTFS5124PL Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
18W
No. of Pins
8Pins
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.26ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
18W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
NVTFS5124PL Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto