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NVMYS7D3N04CLTWG
SINGLE MOSFET TRANSISTORS
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMYS7D3N04CLTWGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark39AH9083
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 18 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.520 |
| 10+ | $ 0.960 |
| 25+ | $ 0.853 |
| 50+ | $ 0.746 |
| 100+ | $ 0.639 |
| 250+ | $ 0.570 |
| 500+ | $ 0.501 |
| 1000+ | $ 0.456 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.52
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMYS7D3N04CLTWGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark39AH9083
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id52A
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Drain Source On State Resistance7300µohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd38W
Power Dissipation38W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
38W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto