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NVMFS5C604NLWFET1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, WFDFN, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFS5C604NLWFET1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AN2942RL
Segmento de fita10AN2942
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.550 | $ 6.55 |
| Total Preço | $ 6.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.550 |
| 10+ | $ 5.780 |
| 25+ | $ 5.290 |
| 50+ | $ 4.790 |
| 100+ | $ 4.160 |
| 250+ | $ 3.310 |
| 500+ | $ 3.130 |
| 1000+ | $ 2.950 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFS5C604NLWFET1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AN2942RL
Segmento de fita10AN2942
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id287A
Drain Source On State Resistance0.0012ohm
Transistor Case StyleWFDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation200W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
287A
Transistor Case Style
WFDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificado de conformidade do produto