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NVMFD5C650NLT1G
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFD5C650NLT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante88 semanas
Código Newark
Rolo completo42AC0994
Rodo à Medida48AC1748RL
Segmento de fita48AC1748
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.880 | $ 5.88 |
| Total Preço | $ 5.88 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.880 |
| 50+ | $ 3.920 |
| 100+ | $ 2.820 |
| 250+ | $ 2.690 |
| 500+ | $ 2.560 |
| 1000+ | $ 2.510 |
| 2500+ | $ 2.460 |
| 5000+ | $ 2.410 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1500+ | $ 3.690 |
| 3000+ | $ 3.520 |
| 6000+ | $ 3.380 |
| 12000+ | $ 3.130 |
| 18000+ | $ 3.040 |
| 30000+ | $ 2.950 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFD5C650NLT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante88 semanas
Código Newark
Rolo completo42AC0994
Rodo à Medida48AC1748RL
Segmento de fita48AC1748
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel111A
Continuous Drain Current Id P Channel111A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel125W
Power Dissipation P Channel125W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
111A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
125W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
111A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0042ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NVMFD5C650NLT1G
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto