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NVH4L040N65S3F
MOSFET, N-CH, 650V, 65A, 150DEG C, 446W
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L040N65S3FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark12AJ7263
Gama de produtosSuperFET III FRFET
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 19.140 |
| 10+ | $ 17.100 |
| 25+ | $ 15.070 |
| 50+ | $ 13.030 |
| 100+ | $ 12.300 |
| 250+ | $ 11.900 |
| 500+ | $ 11.660 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 19.14
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L040N65S3FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark12AJ7263
Gama de produtosSuperFET III FRFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id65A
On Resistance Rds(on)0.0338ohm
Drain Source On State Resistance0.0338ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation446W
Power Dissipation Pd446W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III FRFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.0338ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
446W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SuperFET III FRFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.0338ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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