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NVH4L032N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 50 A, 650 V, 44 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L032N065M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark20AM4401
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.560 |
| 10+ | $ 11.990 |
| 25+ | $ 11.910 |
| 50+ | $ 11.820 |
| 100+ | $ 11.740 |
| 250+ | $ 11.650 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L032N065M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark20AM4401
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance44mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Descrição geral do produto
NVH4L032N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET that uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 50A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
44mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
187W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto