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NVH4L022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L022N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark81AJ0295
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70 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 28.450 |
| 5+ | $ 24.750 |
| 10+ | $ 21.040 |
| 25+ | $ 20.730 |
| 50+ | $ 20.420 |
| 100+ | $ 20.100 |
| 250+ | $ 19.790 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 28.45
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L022N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark81AJ0295
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation352W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
352W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para NVH4L022N120M3S
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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