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NVBYST001N08XTXG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBYST001N08XTXGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AN2940RL
Segmento de fita10AN2940
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9,000 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.820 | $ 4.82 |
| Total Preço | $ 4.82 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.820 |
| 10+ | $ 4.240 |
| 25+ | $ 3.890 |
| 50+ | $ 3.520 |
| 100+ | $ 3.060 |
| 250+ | $ 2.430 |
| 500+ | $ 2.310 |
| 1000+ | $ 2.160 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBYST001N08XTXGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AN2940RL
Segmento de fita10AN2940
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id467A
Drain Source On State Resistance0.00119ohm
Transistor Case StyleTCPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation517W
No. of Pins16Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
467A
Transistor Case Style
TCPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
517W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.00119ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
16Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (1)
Alternativas para NVBYST001N08XTXG
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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