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NVBG025N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, D2PAK-7L
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBG025N065SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark57AK6422
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 28.260 |
| 5+ | $ 24.880 |
| 10+ | $ 21.500 |
| 25+ | $ 21.450 |
| 50+ | $ 21.420 |
| 100+ | $ 21.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 28.26
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBG025N065SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark57AK6422
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation395W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Alternativas para NVBG025N065SC1
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
395W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos