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NVB082N65S3F
MOSFET, AECQ101, N-CH, 650V, 40A, 313W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVB082N65S3FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo85AC3079
Rodo à Medida97AC7889RL
Segmento de fita97AC7889
Gama de produtosSUPERFET III FRFET
Seu número de peça
5,388 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 9.070 | $ 9.07 |
| Total Preço | $ 9.07 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.070 |
| 10+ | $ 6.890 |
| 25+ | $ 6.460 |
| 50+ | $ 6.040 |
| 100+ | $ 5.600 |
| 250+ | $ 5.350 |
| 500+ | $ 5.090 |
| 1600+ | $ 4.570 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 4.730 |
| 1000+ | $ 4.450 |
| 1500+ | $ 4.240 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVB082N65S3FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo85AC3079
Rodo à Medida97AC7889RL
Segmento de fita97AC7889
Gama de produtosSUPERFET III FRFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.064ohm
Drain Source On State Resistance0.082ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd313W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III FRFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.064ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
313W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III FRFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para NVB082N65S3F
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto