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NTZD3155CT1G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTZD3155CT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rolo completo45J2183
Rodo à Medida10N9592RL
Segmento de fita10N9592
Seu número de peça
1,378 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.592 | $ 0.59 |
| Total Preço | $ 0.59 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.592 |
| 50+ | $ 0.379 |
| 100+ | $ 0.253 |
| 250+ | $ 0.226 |
| 500+ | $ 0.198 |
| 1000+ | $ 0.181 |
| 2500+ | $ 0.166 |
| 5000+ | $ 0.163 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.164 |
| 6000+ | $ 0.148 |
| 12000+ | $ 0.135 |
| 18000+ | $ 0.127 |
| 30000+ | $ 0.118 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTZD3155CT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rolo completo45J2183
Rodo à Medida10N9592RL
Segmento de fita10N9592
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id540mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.55ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
- High efficiency system performance
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- Small footprint
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
540mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.55ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTZD3155CT1G
3 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto