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NTZD3154NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTZD3154NT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark29X6226
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 12000+ | $ 0.082 |
| 18000+ | $ 0.078 |
| 30000+ | $ 0.070 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 12000
Vários: 12000
$ 984.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTZD3154NT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark29X6226
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id540mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.55ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
540mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.55ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para NTZD3154NT1G
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
