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NTUD3169CZT5G.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 220 mA, 200 mA, 1.5 ohm
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 8000+ | $ 0.088 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 8000
Vários: 8000
$ 704.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTUD3169CZT5G.Cópia
Código Newark28AC0236
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel5ohm
Transistor Case StyleSOT-963
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel125mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Drain Source On State Resistance P Channel
5ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.5ohm
Transistor Case Style
SOT-963
Power Dissipation N Channel
125mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para NTUD3169CZT5G.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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