Imprimir página
NTTFS2D1N04HLTWG
MISCELLANEOUS MOSFETS
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFS2D1N04HLTWGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5675
Rodo à Medida74AH4852
Segmento de fita74AH4852
Seu número de peça
2,580 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.190 | $ 10.95 |
| Total Preço | $ 10.95 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.190 |
| 10+ | $ 1.400 |
| 25+ | $ 1.250 |
| 50+ | $ 1.100 |
| 100+ | $ 0.947 |
| 250+ | $ 0.849 |
| 500+ | $ 0.751 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.553 |
| 6000+ | $ 0.538 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFS2D1N04HLTWGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5675
Rodo à Medida74AH4852
Segmento de fita74AH4852
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance1700µohm
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto