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NTS2101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTS2101PT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark45J2180
Seu número de peça
72,000 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.167 |
| 6000+ | $ 0.150 |
| 12000+ | $ 0.137 |
| 18000+ | $ 0.129 |
| 30000+ | $ 0.120 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 501.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTS2101PT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark45J2180
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd290mW
Transistor Case StyleSOT-323
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
290mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTS2101PT1G
2 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto