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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR5103NT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC3900RL
Segmento de fita13AC3900
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.201 | $ 0.20 |
| Total Preço | $ 0.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.201 |
| 50+ | $ 0.128 |
| 100+ | $ 0.083 |
| 250+ | $ 0.074 |
| 500+ | $ 0.064 |
| 1000+ | $ 0.057 |
| 2500+ | $ 0.056 |
| 5000+ | $ 0.055 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR5103NT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC3900RL
Segmento de fita13AC3900
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id260mA
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance2.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation300mW
Power Dissipation Pd300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
260mA
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Power Dissipation Pd
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTR5103NT1G
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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