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NTR4170NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR4170NT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo05R9180
Rodo à Medida08R4025RL
Segmento de fita08R4025
Seu número de peça
1,043 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.615 | $ 0.62 |
| Total Preço | $ 0.62 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.615 |
| 50+ | $ 0.395 |
| 100+ | $ 0.265 |
| 250+ | $ 0.237 |
| 500+ | $ 0.209 |
| 1000+ | $ 0.190 |
| 2500+ | $ 0.186 |
| 5000+ | $ 0.182 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.184 |
| 9000+ | $ 0.176 |
| 15000+ | $ 0.158 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR4170NT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo05R9180
Rodo à Medida08R4025RL
Segmento de fita08R4025
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd780mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation780mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NTR4170NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 2.4A continuous drain current. It is suitable for power converters for portables, battery management and load/power switch applications.
- Low RDS (ON)
- Low gate charge
- Low threshold voltage
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Aplicações
Power Management, Portable Devices, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
780mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
780mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTR4170NT1G
4 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto