Imprimir página
NTR1P02T1G
MOSFET, P CH, -20V, 1A, SOT-23-3
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR1P02T1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo45J2173
Rodo à Medida04X6655RL
Segmento de fita04X6655
Seu número de peça
99,494 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.650 | $ 3.25 |
| Total Preço | $ 3.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.650 |
| 10+ | $ 0.505 |
| 25+ | $ 0.354 |
| 50+ | $ 0.298 |
| 100+ | $ 0.254 |
| 250+ | $ 0.209 |
| 500+ | $ 0.180 |
| 1000+ | $ 0.154 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.098 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR1P02T1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo45J2173
Rodo à Medida04X6655RL
Segmento de fita04X6655
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
On Resistance Rds(on)0.148ohm
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation400mW
Power Dissipation Pd400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.148ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para NTR1P02T1G
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
