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NTR1P02LT3G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR1P02LT3GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5849
Rodo à Medida81Y7054RL
Segmento de fita81Y7054
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.390 | $ 0.39 |
| Total Preço | $ 0.39 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.390 |
| 50+ | $ 0.250 |
| 100+ | $ 0.166 |
| 250+ | $ 0.148 |
| 500+ | $ 0.130 |
| 1000+ | $ 0.118 |
| 2500+ | $ 0.108 |
| 5000+ | $ 0.098 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10000+ | $ 0.106 |
| 12000+ | $ 0.095 |
| 18000+ | $ 0.090 |
| 30000+ | $ 0.081 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR1P02LT3GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5849
Rodo à Medida81Y7054RL
Segmento de fita81Y7054
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd400mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
NTR1P02LT3G is a P Channel, -20V, -1.3A, 0.14ohm, power MOSFET. This miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life
- Drain to source breakdown voltage is -20V min
- Zero gate voltage drain current is -1µA at (VDS = -16V, VGS = 0V)
- Gate threshold voltage is -1.25V
- 225pF input capacitance at VDS = -5V
- 7/18ns turn-on/off delay time, 15/9ns rise/fall time (VGS=-4.5V, VDD=-5V, ID=-1A, RL=5ohm, RG=6ohm)
- Thermal resistance junction to ambient (RJA) is 300°C/W
- 400mW total power dissipation at TA = 25°C
- 3-pin SOT-23 package saves board space
- Operating and storage temperature (TJ, Tstg) range from - 55 to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
400mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTR1P02LT3G
3 produtos encontrados
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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