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NTPF190N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 16A, TO-220FP
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTPF190N65S3HCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark50AJ5906
Gama de produtosSUPERFET III
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.830 |
| 10+ | $ 3.900 |
| 25+ | $ 3.490 |
| 50+ | $ 3.070 |
| 100+ | $ 2.800 |
| 250+ | $ 2.570 |
| 500+ | $ 2.330 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.83
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTPF190N65S3HCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark50AJ5906
Gama de produtosSUPERFET III
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on)0.156ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation32W
Power Dissipation Pd32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.156ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos