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NTMTS1D6N10MCTXG
MOSFET, N-CH, 100V, 273A, DFNW
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMTS1D6N10MCTXGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark64AJ4591
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 20 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.040 |
| 10+ | $ 8.620 |
| 25+ | $ 8.020 |
| 50+ | $ 7.680 |
| 100+ | $ 7.350 |
| 250+ | $ 7.260 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 11.04
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMTS1D6N10MCTXGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark64AJ4591
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id273A
Drain Source On State Resistance1420µohm
On Resistance Rds(on)0.00142ohm
Transistor Case StyleDFNW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation291W
Power Dissipation Pd291W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1420µohm
Transistor Case Style
DFNW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
291W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
273A
On Resistance Rds(on)
0.00142ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
291W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto