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NTMD3P03R2G
MOSFET, P-CH, -30V, -3.05A, SOIC
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMD3P03R2GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo42K2449
Rodo à Medida50AC6492RL
Segmento de fita50AC6492
Seu número de peça
679 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.640 | $ 8.20 |
| Total Preço | $ 8.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.640 |
| 50+ | $ 1.030 |
| 100+ | $ 0.689 |
| 250+ | $ 0.615 |
| 500+ | $ 0.541 |
| 1000+ | $ 0.493 |
| 2500+ | $ 0.483 |
| 5000+ | $ 0.473 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.512 |
| 3000+ | $ 0.491 |
| 6000+ | $ 0.446 |
| 12000+ | $ 0.402 |
| 18000+ | $ 0.387 |
| 30000+ | $ 0.378 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMD3P03R2GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo42K2449
Rodo à Medida50AC6492RL
Segmento de fita50AC6492
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3.05A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.05A
Continuous Drain Current Id P Channel3.05A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.05A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.05A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.05A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTMD3P03R2G
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto