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NTLJD3119CTBG
MOSFET, N & P CH, 20V, 4.6A, WDFN-6
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTLJD3119CTBGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark90W9312
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.300 |
| 10+ | $ 0.818 |
| 100+ | $ 0.539 |
| 500+ | $ 0.419 |
| 1000+ | $ 0.381 |
| 2500+ | $ 0.373 |
| 10000+ | $ 0.366 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.30
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTLJD3119CTBGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark90W9312
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id4.6A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.6A
Continuous Drain Current Id P Channel4.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.037ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.037ohm
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel2.3W
Power Dissipation P Channel2.3W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.037ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
2.3W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
4.6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.037ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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