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NTJS4151PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTJS4151PT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo45J2159
Rodo à Medida81Y7048RL
Segmento de fita81Y7048
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.522 | $ 0.52 |
| Total Preço | $ 0.52 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.522 |
| 10+ | $ 0.341 |
| 25+ | $ 0.306 |
| 50+ | $ 0.271 |
| 100+ | $ 0.236 |
| 250+ | $ 0.213 |
| 500+ | $ 0.190 |
| 1000+ | $ 0.173 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.118 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTJS4151PT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo45J2159
Rodo à Medida81Y7048RL
Segmento de fita81Y7048
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.047ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NTJS4151PT1G is a P-channel single Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use as high side load switches, cell phones, computing, digital cameras, MP3s and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- Small outline (2 x 2 mm) for maximum circuit board utilization
- Gate diodes for ESD protection
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
1W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
On Resistance Rds(on)
0.047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para NTJS4151PT1G
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto