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NTHD4102PT1G
MOSFET, DUAL P CH, -20V, -2.9A, CHIPFET
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTHD4102PT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo83H7827
Rodo à Medida81Y7043RL
Segmento de fita81Y7043
Seu número de peça
2,309 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.640 | $ 8.20 |
| Total Preço | $ 8.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.640 |
| 50+ | $ 1.030 |
| 100+ | $ 0.690 |
| 250+ | $ 0.616 |
| 500+ | $ 0.542 |
| 1000+ | $ 0.494 |
| 2500+ | $ 0.484 |
| 5000+ | $ 0.474 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.643 |
| 6000+ | $ 0.605 |
| 12000+ | $ 0.575 |
| 18000+ | $ 0.545 |
| 30000+ | $ 0.527 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTHD4102PT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo83H7827
Rodo à Medida81Y7043RL
Segmento de fita81Y7043
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.9A
Continuous Drain Current Id P Channel2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.064ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.064ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.064ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.064ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTHD4102PT1G
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto