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NTF3055L108T1G.
Power MOSFET, N Channel, 68 V, 3 A, 0.092 ohm, SOT-223, Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 0.368 |
| 3000+ | $ 0.336 |
| 5000+ | $ 0.329 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 368.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTF3055L108T1G.Cópia
Código Newark26AC2751
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds68V
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)0.092ohm
Drain Source On State Resistance0.092ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.1W
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.68V
Transistor Case StyleSOT-223
Power Dissipation2.1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NTF3055L108T1G is a N-channel logic level Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
Aplicações
Automotive, Motor Drive & Control, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
68V
On Resistance Rds(on)
0.092ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source On State Resistance
0.092ohm
Power Dissipation Pd
2.1W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.68V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTF3055L108T1G.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto