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NTBG160N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG160N120SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark91AH8448
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.100 |
| 10+ | $ 5.760 |
| 25+ | $ 5.540 |
| 50+ | $ 5.340 |
| 100+ | $ 5.120 |
| 250+ | $ 5.080 |
| 500+ | $ 5.030 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 7.10
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG160N120SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark91AH8448
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id19.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para NTBG160N120SC1
3 produtos encontrados
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
19.5A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
136W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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