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NTBG080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG080N120SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark91AH8447
Gama de produtosEliteSiC Series
Seu número de peça
55 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.810 |
| 10+ | $ 8.250 |
| 25+ | $ 7.510 |
| 50+ | $ 6.770 |
| 100+ | $ 6.630 |
| 250+ | $ 6.500 |
| 500+ | $ 6.360 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 11.81
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG080N120SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark91AH8447
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation179W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
179W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTBG080N120SC1
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto