Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNST3906F3T5GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark01P5112
Seu número de peça
48,000 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.055 |
| 12000+ | $ 0.047 |
| 18000+ | $ 0.044 |
| 30000+ | $ 0.038 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 8000
Vários: 8000
$ 440.00
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNST3906F3T5GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark01P5112
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
DC Collector Current200mA
Power Dissipation Pd360mW
Power Dissipation360mW
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor Case StyleSOT-1123
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
NST3906F3T5G is a PNP general-purpose transistor. It is designed for general-purpose amplifier applications and is housed in the SOT−1123 surface-mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.
- Reduces board space
- Collector−emitter breakdown voltage (IC = 1.0mAdc, IB = 0) is -40V DC min
- Collector−base breakdown voltage (IC = 10µAdc, IE = 0) is -40V DC min
- Emitter−base breakdown voltage (IE = 10µAdc, IC = 0) is -5V DC min
- DC current gain is 60 at (IC = −0.1mAdc, VCE = −1.0V DC)
- Current−gain − bandwidth product (IC = 10mAdc, VCE = 20V DC, f = 100MHz) is 250MHz min
- Noise figure (VCE = −5.0V DC, IC = −100µAdc, RS = 1.0kohm, f = 1.0kHz) is 4.0dB max
- Delay time is 35ns max at (VCC = −3.0V DC, VBE = 0.5V DC)
- Rise time is 35ns max at (IC = −10mAdc, IB1 = −1.0mAdc)
- Junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
40V
DC Collector Current
200mA
Power Dissipation
360mW
DC Current Gain hFE
100hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
360mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-1123
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para NST3906F3T5G
1 produto encontrado
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
