Imprimir página
NJW3281G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNJW3281GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark89M5494
Seu número de peça
5,529 Em Estoque
Precisa de mais?
120 Estoque disponivel nos EUA. Prazo de entrega 1-2 semanas. Pedidos feitos antes das 20h EST, Envio padrão.
5409 Produto em estoque no Reino Unido, disponivel para entrega em 2-3 semanas.
Encomendar antes das 20:00, envio normal
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.150 |
| 10+ | $ 4.400 |
| 25+ | $ 3.640 |
| 60+ | $ 2.880 |
| 120+ | $ 2.630 |
| 270+ | $ 2.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.15
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNJW3281GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark89M5494
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current15A
DC Current Gain hFE45hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-3P
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min45hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
NJW3281G is a complementary NPN Silicon power bipolar transistor for high power audio, disk head positioners, and other linear applications. Application includes home amplifiers, home receivers (high−end consumer audio products), theatre and stadium sound systems, public address systems (PAs) (professional audio amplifiers).
- Exceptional safe operating area, NPN gain matching within 10% from 50mA to 5A
- Excellent gain linearity, high BVCEO, high frequency, greater dynamic range
- Reliable performance at higher powers, accurate reproduction of I/P signal, high amplifier bandwidth
- Symmetrical characteristics in complementary configurations
- DC current gain is 75 (IC = 100mAdc, VCE = 5Vdc)
- Collector−emitter sustaining voltage is 250VDC min (TC = 25°C, IC = 100mAdc, IB = 0)
- Collector−emitter voltage is 250VDC (1.5V, TC = 25°C), collector−base voltage is 250VDC (TC = 25°C)
- Collector cutoff current is 50µAdc at (VCB = 250 Vdc, IE = 0)
- Current gain bandwidth product is 30MHz typ (IC = 1ADC, VCE = 5VDC, ftest = 1MHz)
- TO−3P package, operating temperature range from -65 to +150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Power Dissipation
200W
DC Collector Current
15A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-3P
DC Current Gain hFE Min
45hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
250V
Continuous Collector Current
15A
Power Dissipation Pd
200W
DC Current Gain hFE
45hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos