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NDT014L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDT014LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2130
Rodo à Medida34X1292RL
Segmento de fita34X1292
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.610 | $ 1.61 |
| Total Preço | $ 1.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.610 |
| 10+ | $ 1.010 |
| 25+ | $ 0.900 |
| 50+ | $ 0.788 |
| 100+ | $ 0.675 |
| 250+ | $ 0.603 |
| 500+ | $ 0.530 |
| 1000+ | $ 0.483 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.499 |
| 6000+ | $ 0.460 |
| 12000+ | $ 0.431 |
| 18000+ | $ 0.401 |
| 30000+ | $ 0.383 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDT014LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2130
Rodo à Medida34X1292RL
Segmento de fita34X1292
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.8A
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NDT014L is a N-channel logic level enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC conversion where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NDT014L
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto