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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS7002ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2127
Rodo à Medida58K9482
Segmento de fita58K9482
Seu número de peça
440,526 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.356 | $ 0.36 |
| Total Preço | $ 0.36 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.356 |
| 25+ | $ 0.226 |
| 50+ | $ 0.187 |
| 100+ | $ 0.147 |
| 250+ | $ 0.130 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.089 |
| 6000+ | $ 0.076 |
| 12000+ | $ 0.067 |
| 18000+ | $ 0.064 |
| 30000+ | $ 0.058 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS7002ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2127
Rodo à Medida58K9482
Segmento de fita58K9482
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id280mA
Drain Source On State Resistance2ohm
On Resistance Rds(on)2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NDS7002A is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High saturation current capability
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
280mA
On Resistance Rds(on)
2ohm
Power Dissipation Pd
300mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
