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NDS331N
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS331NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo26AC2656
Rolo completo67R2124
Rodo à Medida58K2016RL
Segmento de fita58K2016
Seu número de peça
859,833 Em Estoque
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211833 Estoque disponivel nos EUA. Prazo de entrega 1-2 semanas. Pedidos feitos antes das 20h EST, Envio padrão.
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.670 | $ 0.67 |
| Total Preço | $ 0.67 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.670 |
| 25+ | $ 0.407 |
| 50+ | $ 0.343 |
| 100+ | $ 0.278 |
| 250+ | $ 0.249 |
| 500+ | $ 0.220 |
| 1000+ | $ 0.198 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.137 |
| 6000+ | $ 0.136 |
| 12000+ | $ 0.125 |
| 18000+ | $ 0.123 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS331NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo26AC2656
Rolo completo67R2124
Rodo à Medida58K2016RL
Segmento de fita58K2016
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NDS331N is a N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance. Suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
Aplicações
Power Management, Computers & Computer Peripherals
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NDS331N
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto