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NDS0610
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS0610Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2123
Rodo à Medida58K2015RL
Segmento de fita58K2015
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.591 | $ 0.59 |
| Total Preço | $ 0.59 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.591 |
| 25+ | $ 0.379 |
| 50+ | $ 0.316 |
| 100+ | $ 0.252 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.179 |
| 6000+ | $ 0.152 |
| 12000+ | $ 0.136 |
| 18000+ | $ 0.129 |
| 30000+ | $ 0.116 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS0610Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2123
Rodo à Medida58K2015RL
Segmento de fita58K2015
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120mA
Drain Source On State Resistance10ohm
On Resistance Rds(on)10ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NDS0610 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Voltage controlled p-channel small signal switch
- High density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120mA
On Resistance Rds(on)
10ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NDS0610
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
