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NDS0605
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS0605Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo41K9479
Rodo à Medida58K9477RL
Segmento de fita58K9477
Seu número de peça
6,774 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.372 | $ 0.37 |
| Total Preço | $ 0.37 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.372 |
| 50+ | $ 0.227 |
| 100+ | $ 0.143 |
| 250+ | $ 0.125 |
| 500+ | $ 0.106 |
| 1000+ | $ 0.094 |
| 2500+ | $ 0.092 |
| 5000+ | $ 0.090 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.067 |
| 18000+ | $ 0.066 |
| 30000+ | $ 0.064 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS0605Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo41K9479
Rodo à Medida58K9477RL
Segmento de fita58K9477
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd360mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NDS0605 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. It can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 180mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Voltage controlled p-channel small signal switch
- High density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
180mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Power Dissipation Pd
360mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto