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NDC7001C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDC7001CCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2121
Rodo à Medida58K9473RL
Segmento de fita58K9473
Seu número de peça
39,182 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.882 | $ 0.88 |
| Total Preço | $ 0.88 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.882 |
| 50+ | $ 0.550 |
| 100+ | $ 0.356 |
| 250+ | $ 0.328 |
| 500+ | $ 0.250 |
| 1000+ | $ 0.225 |
| 2500+ | $ 0.221 |
| 5000+ | $ 0.216 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.197 |
| 9000+ | $ 0.181 |
| 15000+ | $ 0.177 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDC7001CCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2121
Rodo à Medida58K9473RL
Segmento de fita58K9473
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id510mA
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
Continuous Drain Current Id P Channel340mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel700mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The NDC7001C is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage, low current, switching and power supply applications.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
510mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
340mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
700mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NDC7001C
2 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
