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NCV8402ASTT3G
Power MOSFET, N Channel, 42 V, 2.37 A, 0.165 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNCV8402ASTT3GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo07W7279
Segmento de fita13AC6171
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 4000 | $ 0.483 | $ 1,932.00 |
| Total Preço | $ 1,932.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.483 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.363 |
| 12000+ | $ 0.355 |
| 20000+ | $ 0.348 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNCV8402ASTT3GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo07W7279
Segmento de fita13AC6171
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds42V
Continuous Drain Current Id2.37A
Drain Source On State Resistance0.165ohm
On Resistance Rds(on)0.165ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.1W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-223
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q100
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q100
MSL-
SVHCLead (14-Jun-2023)
Descrição geral do produto
NCV8402ASTT3G is a three-terminal protected low−side smart discrete device. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD and integrated drain−to−gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments. The application includes switch a variety of resistive, inductive and capacitive loads, can replace electromechanical relays and discrete circuits, automotive/industrial.
- Short−circuit protection, thermal shutdown with automatic restart
- Overvoltage protection, integrated clamp for inductive switching
- ESD protection, dV/dt robustness, analog drive capability (logic level input)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable, gate input current is 50µA typ at (VDS = 0V, VGS = 5V)
- Slew−rate ON (70% to 50% VDD) is 0.8µVs typ at (VGS = 10V, VDD = 12V, ID = 2.5A, RL = 4.7 ohm)
- Current limit is 4.3A typical at (VDS = 10V, VGS = 5.0V, TJ = 25°C)
- Source−drain forward on voltage is 1V typ at (VGS = 0V, IS = 7A)
- Gate threshold temperature coefficient 4mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Operating junction temperature range from -40°C to +150°C
- SOT−223 package
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
42V
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
4Pins
Qualification
AEC-Q100
Automotive Qualification Standard
AEC-Q100
SVHC
Lead (14-Jun-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.37A
On Resistance Rds(on)
0.165ohm
Power Dissipation Pd
1.1W
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para NCV8402ASTT3G
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (14-Jun-2023)
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Certificado de conformidade do produto